led封装胶种及介绍

led封装胶种及介绍（精选2篇）

1.led封装胶种及介绍 篇一

LED 封装材料基础知识

LED 封装材料主要有环氧树脂，聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃，有机硅材料等高透明材料。其中聚碳酸脂，聚甲基丙烯酸甲脂，玻璃等用作外层透镜材料；环氧树脂，改性环氧树脂，有机硅材料等，主要作为封装材料，亦可作为透镜材料。而高性能有机硅材料将成为高端LED 封装材料的封装方向之一。下面将主要介绍有机硅封装材料。

提高LED 封装材料折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失，提高光量子效率，封装材料的折射率是一个重要指标，越高越好。提高折射率可采用向封装材料中引入硫元素，引入形式多为硫醚键、硫脂键等，以环硫形式将硫元素引入聚合物单体，并以环硫基团为反应基团进行聚合则是一种较新的方法。最新的研发动态，也有将纳米无机材料与聚合物体系复合制备封装材料，还有将金属络合物引入到封装材料，折射率可以达到1.6-1.8，甚至2.0，这样不仅可以提高折射率和耐紫外辐射性，还可提高封装材料的综合性能。

一、胶水基础特性

1.1有机硅化合物--聚硅氧烷简介

有机硅封装材料主要成分是有机硅化合物。有机硅化合物是指含有Si-O 键、且至少有一个有机基是直接与硅原子相连的化合物，习惯上也常把那些通过氧、硫、氮等使有机基与硅原子相连接的化合物也当作有机硅化合物。其中，以硅氧键（-Si-0-Si-）为骨架组成的聚硅氧烷，是有机硅化合物中为数最多，研究最深、应用最广的一类，约占总用量的90%以上。

1.1.1结构

其结构是一类以重复的Si-O 键为主链，硅原子上直接连接有机基团的聚合物，其通式为R ’---（Si R R ’---O）n---R ”，其中，R、R ’、R ”代表基团，如甲基，苯基，羟基，H，乙烯基等；n

为重复的Si-O 键个数（n 不小于2）。有机硅材料结构的独特性：

（1）Si原子上充足的基团将高能量的聚硅氧烷主链屏蔽起来；（2）C-H无极性，使分子间相互作用力十分微弱；（3）Si-O键长较长，Si-O-Si 键键角大。

（4）Si-O键是具有50％离子键特征的共价键（共价键具有方向性，离子键无方向性）。

1.1.2性能

由于有机硅独特的结构，兼备了无机材料与有机材料的性能，具有表面张力低、粘温系数小、压缩性高、气体渗透性高等基本性质，并具有耐高低温、电气绝缘、耐氧化稳定性、耐候性、难燃、憎水、耐腐蚀、无毒无味以及生理惰性等优异特性。

耐温特性：有机硅产品是以硅－氧（Si －O）键为主链结构的，C －C 键的键能为347kJ/mol，Si －O 键的键能在有机硅中为462kJ/mol，所以有机硅产品的热稳定性高，高温下（或辐射照射）分子的化学键不断裂、不分解。有机硅不但可耐高温，而且也耐低温，可在一个很宽的温度范围内使用。无论是化学性能还是物理机械性能，随温度的变化都很小。

耐候性：有机硅产品的主链为－Si －O －，无双键存在，因此不易被紫外光和臭氧所分解。有机硅具有比其他高分子材料更好的热稳定性以及耐辐照和耐候能力。有机硅中自然环境下的使用寿命可达几十年。

电气绝缘性能：有机硅产品都具有良好的电绝缘性能，其介电损耗、耐电压、耐电弧、耐电晕、体积电阻系数和表面电阻系数等均在绝缘材料中名列前茅，而且

它们的电气性能受温度和频率的影响很小。因此，它们是一种稳定的电绝缘材料，被广泛应用于电子、电气工业上。有机硅除了具有优良的

耐热性外，还具有优异的拒水性，这是电气设备在湿态条件下使用具有高可靠性的保障。

生理惰性：聚硅氧烷类化合物是已知的最无活性的化合物中的一种。它们十分耐生物老化，与动物体无排异反应，并具有较好的抗凝血性能。

低表面张力和低表面能：有机硅的主链十分柔顺，其分子间的作用力比碳氢化合物要弱得多，因此，比同分子量的碳氢化合物粘度低，表面张力弱，表面能小，成膜能力强。这种低表面张力和低表面能是它获得多方面应用的主要原因：疏水、消泡、泡沫稳定、防粘、润滑、上光等各项优异性能。

1.1.3有机硅化合物的用途

由于有机硅具有上述这些优异的性能，因此它的应用范围非常广泛。它不仅作为航空、尖端技术、军事技术部门的特种材料使用，而且也用于国民经济各行业，其应用范围已扩到：建筑、电子电气、半导体、纺织、汽车、机械、皮革造纸、化工轻工、金属和油漆、医药医疗等行业。

其中有机硅主要起到密封、粘合、润滑、绝缘、脱模、消泡、抑泡、防水、防潮、惰性填充等功能。随着有机硅数量和品种的持续增长，应用领域不断拓宽，形成化工新材料界独树一帜的重要产品体系，许多品种是其他化学品无法替代而又必不可少的。

1.2 LED封装用有机硅材料特性简介

LED 封装用有机硅材料的要求：光学应用材料具有透光率高，热稳定性好，应力小，吸湿性低等特殊要求，一般甲基类型的硅树脂25℃时折射率为1.41左右，而苯基类型的硅树脂折射率要高，可以做到1.54以上，450 nm 波长的透光率

要求大于95％。在固化前有适当的流动性，成形好；固化后透明、硬度、强度高，在高湿环境下加热后能保持透明性。

主要技术指标有：折射率、粘度、透光率、无机离子含量、固化后硬度、线性膨胀系数等等。

1.2.1 材料光学透过率特性

石英玻璃、硅树脂和环氧树脂的透过率如图1 所示。硅树脂和环氧树脂先注入模具, 高温固化后脱模, 形成厚度均匀为5 mm 的样品。可以看到, 环氧树脂在可见光范围具有很高的透过率, 某些波长的透过率甚至超过了95% , 但环氧树脂在紫外光范围的吸收损耗较大, 波长小于380 nm 时, 透过率迅速下降。硅树脂在可见光范围透过率接近92%, 在紫外光范围内要稍低一些, 但在320 nm时仍然高于88%, 表现出很好的紫外光透射性质;石英玻璃在可见光和紫外

光范围的透过率都接近95%, 是所有材料里面紫外光透过率最高的。对于紫外LED 封装, 石英玻璃具有最高的透过率, 有机硅树脂次之, 环氧树脂较差。然而尽管石英玻璃紫外光透过率高, 但是其热加工温度高, 并不适用于LED 芯区的密封, 因此在LED 封装工艺中石英玻璃一般仅作为透镜材料使用。由于石英玻璃的耐紫外光辐射和耐热性能已经有很多报道 , 仅对常用于密封LED 芯区的环氧树脂和有机硅树脂的耐紫外光辐射和耐热性能进行研究。

1.2.2耐紫外光特性

研究了环氧树脂A 和B 以及有机硅树脂A 和B 在封装波长为395 nm和375 nm 的LED 芯片时的老化情况, 如图2所示。实验中, 每个LED 的树脂涂层厚度均为2 mm。可以看到, 环氧树脂材料耐紫外光辐射性能都较差, 连续工作时, 紫外LED 输出光功率迅速衰减, 100 h 后输出光功率均下降到初始的50% 以下;200 h 后, LED 的输出光功率已经非常微弱。对于脂环族的环氧树脂B, 在375 nm 的紫外光照射下衰减比395 nm时要快, 说明对紫外光波长较为敏感, 由于375 nm的紫外光光子能量较大, 破坏也更为严重。双酚类的环氧树脂A 在375 nm 和395 nm 的紫外光

照射下都迅速衰减, 衰减速度基本一致。尽管双酚类的环氧树脂A 在375 nm 和395 nm 时的光透过率要略高于脂环族类的环氧树脂B, 但是由于环氧树脂A 含有苯环结构, 因此在紫外光持续照射时, 衰减要比环氧树脂B 要快。

尽管双酚类的环氧树脂A 在375 nm和395 nm时的光透过率要略高于脂环族类的环氧树脂B, 但

是由于环氧树脂A 含有苯环结构, 因此在紫外光持续照射时, 衰减要比环氧树脂B 要快。测量老化前后LED 芯片的光功率, 发现老化后LED 的光功率基本上没有衰减。这说明, 光功率的衰减主要是由紫外光对环氧树脂的破坏引起的。环氧树脂是高分子材料, 在紫外线的照射下, 高分子吸收紫外光子, 紫外光子光子能量较大, 能够打开高分子间的键链。因此, 在持续的紫外光照射下, 环氧树脂的主链慢慢被破坏, 导致主链降解, 发生了光降解反应, 性质发生了变化。实验表明, 环氧树脂不适合用于波长小于380 nm的紫外LED 芯片的封装。相对环氧树脂, 硅树脂表现出了良好的耐紫外光特性。经过近1 500 h 老化后, LED 输出光功率虽然有不同程度的衰减, 但是仍维持在85%以上, 衰减低于15%。这可能与硅树脂和环氧树脂间的结构差异有关。硅树脂的主要结构包括Si 和O, 主链Si-O-Si 是无机的, 而且具有较高的键能;而环氧树脂的主链主要是C-C 或C-O, 键能低于Si-O。由于键能较高, 硅树脂的性能相对要稳定。因此, 硅树脂具有良好的耐紫外光特性。

1.2.3 耐热性

LED 封装对材料的耐热性提出了更高的要求。从图3可以看出, 环氧树脂和硅树脂具有较好的承受紫外光辐照的能力。因此, 对其热稳定性进行了研究。图3 表示这两种材料在高温老化后mm-1厚度时透过率随时间的变化情况。可以看到, 环氧树脂的耐热性较差, 经过连续6天 的高温老化后, 各个波长的透过率都发生了较大的衰减, 紫外光范围的衰减尤其严重, 环氧树脂样品颜色从最初的清澈透明变成了黄褐色。

硅树脂表现出了优异的耐热性能。在150 e 的高温环境下, 经过14 days 的老化后, 可见光范围的样品mm-1厚度时透过率只有稍微的衰减, 在紫外光范围也仅有

少量的衰减, 颜色仍然保持着最初的清澈透明。与环氧树脂不同, 硅树脂以Si-O-Si 键为主链, 由于Si-O 键具有较高的键能和离子化倾向, 因此具有优良的耐热性。

1.2.4光衰特性

传统封装的超高亮度白光L ED ,配粉胶一般采用环氧树脂或有机硅材料。如图4所示, 分别用环氧树

脂和有机硅材料配粉进行光衰实验的结果。可以看出, 用有机硅材料配粉的白光L ED 的寿命明显比环氧树脂的长很多。原因之一是用有机硅材料和环氧树脂配粉的封装工艺不一样, 有机硅材料烘烤温度较低, 时间较短, 对芯片的损伤也小;另外, 有机硅材料比环氧树脂更具有弹性, 更能对芯片起到保护作用。

1.2.5 苯基含量的影响

提高LED 封装材料折射率可有效减少折射率物理屏障带来的光子损失，提高光量子效率，封装材料的折射率是一个重要指标，越高越好。硅树脂中苯基含量越大，就越硬，折射率越高（合成的几乎全苯基的硅树脂折射率可达1.57），但因热塑性太大，无实际使用价值，苯基含量一般以20%~50%（质量分数）为宜。实验发现苯基含量为40%时（质量分数）硅树脂的折射率约1.51，苯基含量为50%时硅树脂的折射率大于1.54，如图5所示。所合成的都是高苯基硅树脂，苯基含量都在45%以上，其折射率都在1.53以上，其中一些可以达到1.54以上。

1.3有机硅封装材料应用原理及分析

有机硅封装材料一般是双组分无色透明的液体状物质，使用时按A ：B=1：1的比例称量准确，使用专用设备行星式重力搅拌机搅拌，混合均匀，脱除气泡即可用于点胶封装，然后将封装后的部件按产品要求加热固化即可。

有机硅封装材料的固化原理一般是以含乙烯基的硅树脂做基础聚合物，含SiH 基硅烷低聚物作交联剂，铂配合物作催化剂配成封装料，利用有机硅聚合物的Si —CH ＝CH 2与Si —H 在催化剂的作用下，发生硅氢化加成反应而交联固化。我

们可以用仪器设备来分析表征一些技术指标有如折射率、粘度、透光率、无机离子含量、固化后硬度、线性膨胀系数等等。

1.3.1 红外光谱分析

有机硅聚合物的Si —CH ＝CH 2与Si —H 在催化剂的作用下，发生硅氢化加成反应而交联。随着反

应的进行，乙烯基含量和硅氢基的浓度会逐渐减少，直到稳定于一定的量，甚至消失。

可采用红外光谱仪测量其固化前后不同阶段的乙烯基和硅氢基的红外光谱吸收变化情况[2]。我们只列举合成的高苯基乙烯基氢基硅树脂固化前和固化后的红外光谱为例：如图6所示，固化前：3071，3050 cm －1是苯环和CH 2=CH-不饱和氢的伸缩振动，2960 cm－1是－CH 3的C-H 伸缩振动，2130 cm－1是Si —H 的吸收峰，1590 cm －1是—CH ＝CH2不饱和碳的吸收峰，1488 cm －1是苯环的骨架振动，1430，1120 cm －1 是Si －Ph 的吸收峰，1250 cm －1是Si －CH 3的吸收峰，1060 cm －1是Si-O-Si 的吸收峰；固化后：2130 cm －1处的Si —H 的吸收峰和1590 cm－1处的—CH ＝CH2不饱和碳的吸收峰均消失。

1.3.2 热失重分析

有机硅主链si-0-si 属于“无机结构”，si-0键的键能为462kJ/mol，远远高于C-C 键的键能347kJ/mol，单纯的热运动很难使si-0键均裂，因而有机硅聚合物具有良好的热稳定性，同时对所连烃基起到了屏蔽作用，提高了氧化稳定性。有机硅聚合物在燃烧时会生成不燃的二氧化硅灰烬而自熄。为了分析封装材料的耐热性，及硅树脂对体系耐热性的影响，我们进行了热失重分析，如图7图8所示，样品起始分

解温度大约在400℃，800℃的残留量在65％以上。封装材料在400℃范围内不降解耐热性好，非常适用于大功率LED 器件的封装。

1.3.3 DSC分析

我们采用DSC（差示热量扫描法）分析了硅树脂固化后的玻璃化转变温度Tg。一般，Tg 的大小取决于分子链的柔性及化学结构中的自由体积，即交联密度，Tg 随交联密度的增加而升高，可以提供一个表征固化程度的参数。我们采用DSC 分析了所制备的凝胶体、弹性体、树脂体的Tg，如表1所示，显然随着凝胶体、弹性体、树脂体的交联密度的增加，玻璃化转变温度Tg 升高。同样也列举合成的高苯基乙烯基氢基硅树脂固化后的差示热量扫描分析图谱，如图9所示，玻璃化转变温度Tg 约72℃。封装应用应根据封装实际的需求，选用不同的形态。

表1 有机硅树脂的玻璃化转变温度Tg

图9 高苯基乙烯基氢基硅树脂DSC 分析图谱 1.4有机硅封装材料的分类及与国外同类产品的对比

为了提高LED 产品封装的取光效率，必须提高封装材料的折射率，以提高产品的临界角，从而提高产品的封装取光效率。根据实验结果，比起荧光胶和外封胶折射率都为1.4时，当荧光胶的折射率比外封胶高时，能显著提高LED 产品的出光效率，提升LED 产品光通量。目前业内的混荧光粉胶折射率一般为1.5左右，外封胶的折射率一般为1.4左右，故大功率白光LED 灌封胶应选取透光率高（可见光透光率大于99%）、折射率高（1.4-1.5）、耐热性较好（能耐受200℃的高温）的双组分有机硅封装材料

LED 有机硅封装材料，固化后按弹性模量划分，可分为凝胶体，弹性体及树脂等三大类；按折射率划分，可分为标准折射率型与高折射率两大类，见表2：

表2 LED有机硅封装材料的分类

与国外同类产品进行了对比，其参数如表3表4所示，可知各项性能参数较接近，经部分客户试用反映良好。

表3自制低折色率产品与国外同类产品的比较

表4自制高折色率产品与国外同类产品的比较

针对LED 封装行业的不同部位的具体要求开发五个应用系列的有机硅材料，不同的封装要求，在封装材料的粘度，固化条件，固化后的硬度（或弹性），外观，折光率等方面有差异。具体分类介绍如下：

1.4.1混荧光粉有机硅系列

传统封装的超高亮度白光L ED ,配粉胶一般采用环氧树脂或有机硅材料。如图9所示, 分别用环氧树脂和有机硅材料配粉进行光衰实验的结果。可以看出, 用有机硅材料配粉的白光L ED 的寿命明显比环氧树脂的长很多。原因之一是用有机硅材料和环氧树脂配粉的封装工艺不一样, 有机硅材料烘烤温度较低, 时间较短, 对芯片的损伤也小;另外, 有机硅材料比环氧树脂更具有弹性, 更能对芯片起到保护作用。

1.4.2 MODING封装材料有机硅系列

1.4.3TOP 贴片封装材料有机硅系列

1.4.4透镜填充有机硅系列

1.4.5集成大功率LED 有机硅系列

二、胶水与其它材料之间的关联性（含固晶胶）

有机硅材料对其他材料没有腐蚀性，但某些材料会影响封装材料的固化。固晶胶一般为环氧树脂材料，它的固化剂种类很多，如果其中含有N，P，S 等元素，会导致封装材料与固晶胶接触部分不固化。如果对某一种基材或材料是否会抑制固化存在疑问，建议先做一个相容性实验来测试某一种特定应用的合适性。如果在有疑问的基材和固化了的弹性体材料界面之间存在未固化的封装料，说明不相容，会抑制固化。

这些最值得注意的物质包括：

1、有机锡和其它有机金属化合物

2、硫、聚硫化物、聚砜类物或其它含硫物品

3、胺、聚氨酯橡胶或者含氨的物品

4、亚磷或者含亚磷的物品

5、某些助焊剂残留物

有机硅封装材料有很好的耐湿气，耐水性及耐油性，但对浓硫酸，浓硝酸等强酸，氨水，氢氧化钠等强碱，以及甲苯等芳香烃溶剂的抵抗能力差。下表定性的列出有机硅封装材料耐化学品性。

有机硅封装材料耐化学品性表

三、胶水的应用与风险防范 3.1使用：

A、B 两组分1：1称量，用行星式重力搅拌机（自公转搅拌脱泡机）搅拌均匀即可点胶。或者在一定温度下，于10mmHg 的真空度下脱除气泡即可使用。建议在干燥无尘环境中操作生产。

3.2注意事项

A、有机硅封装材料在称量，混合，转移，点胶，封装，固化过程中使用专用设备，避免与其他物质混杂带来不确定的影响。

B、某些材料、化学制剂、固化剂和增塑剂可以抑制弹性体材料的固化。这些最值得注意的物质包括： B-

1、有机锡和其它有机金属化合物

B-

2、硫、聚硫化物、聚砜类物或其它含硫物品 B-

3、胺、聚氨酯橡胶或者含氨的物品 B-

4、亚磷或者含亚磷的物品 B-

5、某些助焊剂残留物

如果对某一种基材或材料是否会抑制固化存在疑问，建议先做一个相容性实验来测试某一种特定应用的合适性。如果在有疑问的基材和固化了的弹性体材料界面之间存在未固化的封装料，说明不相容，会抑制固化。

C、在使用封装材料时避免进入口眼等部位；接触封装材料后进食前需要清洗手；封装材料不会腐蚀皮肤，因个人的生理特征有差异，如果感觉不适应暂停相关工作或就医。

D、在LED 生产中很可能会产生的问题是芯片封装时，杯内汽泡占有很大的不良比重，但是产品在制作过程中如果汽泡问题没有得到很好的解决或防治，就会造成产品衰减加快的一个因素。影响气泡产生的因素比较多, 但是多做一些工程评估，即可逐步解决。一般情况下，工艺成熟后，气泡的不良比重不会太高。以下是相关因素：

（1）环境的温度和湿度对气泡产生有较大的影响。（2）模条的温度也是产生气泡的一个因素。（3）气泡的产生与工艺的调整有很大关系。

例如，有些工厂没有抽真空也没有气泡，而有些即使抽了真空也有气泡，从这一点看不是抽不抽真空的问题，而是操作速度的快慢、熟练程度的问题。同时与环境温度也是分不开的。环境温度变化了，可以采取相应的措施加以控制。若常温是15℃，如让胶水的温度达到60℃，这样做杯内气泡就不会出现。同时要注意很多细节问题，如在滚筒预沾胶时产生微小气泡，肉眼和细微镜下看不到，但一进入烤箱体内，热胀气泡扩涨。如果此时温度太高，气体还没有跃出就固化所以产生气泡现象。LED 表面有气泡但没破，此为打胶时产生气泡。LED 表面有气泡已破，原因是温度太高。手工预灌胶前，支架必须预热。预热预灌的AB 组分进行2小时调换一次。只要你保持AB 料、支架都是热的，气泡问题不难解。因为AB 组分冷时流动性差, 遇到冷支架容易把气泡带入。操作时要注意以下问题：

（1）操作人员的操作技巧不熟练（整条里面有一边出现气泡）；（2）点胶机的快慢和胶量没有控制好（很容易出现气泡的地方）；（3）机器是否清洁（此点不一定会引起气泡，但很容易产生类似冰块一样的东西，尤其是环已酮）；

（4）往支架点胶时，速度不能快，太快带入的空气将难以排出；

（5）胶要常换、胶筒清洗干净，一次混胶量不能太多，A，B 组分混合就会开始反应，时间越长胶越稠，气泡越难排出；

E、大多数封装客户都发现做好的产品在初期做点亮测试老化之后都有不错的表现，但是随着时间的推移，明明在抽检都不错的产品，到了应用客户开始应用的时候或者不久之后，就发现有胶层和PPA 支架剥离、LED 变色（镀银层变黄发黑）的情况发生。那这到底是什么原因引起的？是在制程的过程中工艺把握不好导

致封装胶固化不好吗？当然有可能，但是随着客户工艺的不断成熟，这种情况发生的机率会越来越少。有以下因素供大家参考；

（1）PPA 与支架剥离的原因是：PPA 中所添加的二氧化钛因晶片所发出的蓝光造成其引起的光触媒作用、PPA 本身慢慢老化所造成的，硅胶本身没老化的情况下，由于PPA 老化也会导致剥离想象的发生；二氧化钛吸收太阳光或照明光中的紫外线，产生光触媒作用，会产生分解力与亲水性的能力。特別具有分解有机物的能力。

（2 以LED 变色问题为例、现阶段大致分三类： ？硫磺造成镀银层生硫化银而变色 ？卤素造成镀银层生卤化银而变色 ？镀银层附近存在无机碳。

• 有机硅封装材料、固晶材料并不含有S 化合物、卤素化合物, 硫化及卤化物的发生取决于使用的环境。

• 无机碳的存在为环氧树脂等的有机物因热及光的分解后的残渣。在镀银层以环氧等固晶胶作为蓝光晶片接合的场合频繁发生。

•有机硅封装材料即使被热及光分解也不会变成黑色的碳。

• 若是沒有使用环氧等的有几物的场合有发现无机碳存在的话有可能是由外部所带入。

• 上述的3种变色现象是因蓝光、镀银、氧气及湿气使其加速催化所造成 综上所述，我们发现，以上的主要原因是由于有氧气，湿气侵入到LED 内部以及有无机碳的存在

而带来的一系列的问题，那么我们应该如何解决呢。

（1）在封装过程中避免使用环氧类的有机物，比如固晶胶；

（2 选择低透气性的封装材料，尽量避免使用橡胶系的硅材料，尽量选用树脂型的硅材料；

（3 在制程的过程中尽量采用清洗支架，尽可能的增加烘烤流程。如何解决隔层问题？出现隔层，一般是胶水沾接性能不好，先膨胀后收缩所致。也有粉胶与外封胶膨胀系数差异太大产生较大内应力，在金线部位撕裂。故升温太快 有裂层或固化不好，而分段固化，反应没那么剧烈，消除一些内应力。

3.3贮存及运输：

1、阴凉干燥处贮存，贮存期为6个月（25℃）。3-

2、此类产品属于非危险品，可按一般化学品运输。

3、胶体的A、B 组分均须密封保存，在运输，贮存过程中防止泄漏。3.4封装工艺 A.LED 的封装的任务

是将外引线连接到LED 芯片的电极上，同时保护好LED 芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。

B.LED 封装形式

LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED 按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED 等。

C.LED 封装工艺流程 1.芯片检验

镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）；芯片尺寸及电极大小是否符合工艺

要求 ；电极图案是否完整。2.扩片

由于LED 芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED 芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。

3.点胶

在LED 支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC 导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED 芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。

4.备胶

和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED 背面电极上，然后把背部带银胶的LED 安装在LED 支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。

5.手工刺片

将扩张后LED 芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED 支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED 芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品。

6.自动装架

自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED 支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED 芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED 芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。

7.烧结

烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在 150℃，烧结时间 2 小时。根据实际情况可以调整到 170℃，1 小时。绝 缘胶一般 150℃，1 小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔 2 小时（或 1 小时）打开更换烧结的产 品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。8.压焊 压焊的目的将电极引到 LED 芯片上，完成产品内外引线的连接工作。LED 的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。9.点胶封装 LED 的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计 上主要是对材料的选型，选用结合良好的胶水和支架。（一般的 LED 无法通过气密性试验）TOP-LED 和 Side-LED 适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光 LED），主要难点是对点 胶量的控制，因为胶水在使用过程中会变稠。白光 LED 的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。10.灌胶封装 Lamp-LED 的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在 LED 成型模腔内注入胶水，然后插入压焊 好的 LED 支架，放入烘箱让胶水固化后，将 LED 从模腔中脱出即成型。11.模压封装 将压焊好的 LED 支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶 道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个 LED 成型槽中并固化。12.固化与后固化 固化是指封装胶水的固化。13.后固化 后固化是为了让胶水充分固化，同时对 LED 进行热老化。后固化对于提高胶水与支架（PCB）的粘接 强度非常重要。14.切筋和划片

由于 LED 在生产中是连在一起的（不是单个）Lamp 封装 LED 采用切筋切断 LED 支架的连筋。，SMD-LED 则是在一片 PCB 板上，需要划片机来完成分离工作。15.测试 测试 LED 的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对 LED 产品进行分选。16.包装 将成品进行计数包装。超高亮 LED 需要防静电包装。

2.led封装胶种及介绍 篇二

LED发光效率逐年提高，已经达到通用照明应用的需求。从Cree 2010年最新公布的结果来看，目前其实验室白光LED发光效率达到200lm/w，商用芯片达到160lm/w，并计划在2013年量产200lm/w 的LED。以LED照明电子封装模块的光效为160lm/w记，经过从光源到灯具的过程损失其中约50%，灯具输出的光效能达到80lm/w，仍然超过目前荧光灯60-80lm/w的光效，并远超过白炽灯10-15lm/w的效率。从光效上，LED照明已经达到替代传统光源的标准。

目前商用化的电子产品已经体现出LED在光效上的优势，如LED灯泡采用螺杆式底座设计，可以直接用来替换传统的白炽灯泡，不需要改变现有灯头和线路，根据卡口尺寸和灯泡大小划分E26和E17型，4W的LED灯泡可替换25W白炽灯泡，6W的LED灯泡可替换40W白炽灯泡，10W的LED灯泡可替换60W白炽灯泡。

技术上，LED的光效已经达到替代传统光源的要求，目前制约LED照明迅速普及的主要因素是其高昂的成本。今后LED照明发展的主要方向，不应是lm/w为代表的技术升级，而是$/lm为代表的成本降低。

除技术和成本外，各国家和地区政府对节能减排的积极态度，对白炽灯电子产品的停产和禁用计划，是推动LED照明替代发生的重要 http:/// 影响因素。很多发达国家规划在 2012年左右停止制造和禁止使用白炽灯泡，LED凭借其节能减排和环境保护方面的优势，是白炽灯替代的理想选择，一旦技术和成本适当，预计会得到各国政府在政策上的大力支持。

LED照明业投资时机分析

通过分析电视背光源领域发生的LED对荧光灯（CCFL）的替代过程，可以发现LED相对CCFL背光价格差下降最快的时期，是LED背光渗透率出现快速上升时间段。

我们认为，LED照明替代传统的荧光灯和白炽灯照明也会重复这一过程。在LED照明电子产品与传统照明电子产品的价格差快速下降过程中，LED照明渗透率将迅速上升。在LED产业界有一条由安捷伦公司Roland Haitz 提出的Haitz定律，被认为是LED行业的摩尔定律。LED商业化以来，每流明成本（$/lm）每年下降约20%，且从近年的数据来看，亮度提升和成本下降有加速的趋势。

根据美国能源部的预测，白光LED电子封装的流明成本将从2009年的25$/klm，下降到2015年的2$/klm，平均每年的成本下降在30%以上，而2010-2012年间年均降幅接近40%。我们认为，2011-2012年将是LED与传统照明价差下降最快的时间段，LED照明渗透率将在此期间产生跨越式的增长。根据我们的测算，以$/lm为衡量单位，在2012年左右LED照明成本将降至荧光灯的两倍，如将 LED相对荧光灯约2.5倍的寿命计算在内，将使得在2012年左右LED照明的总成本领先于荧光灯照明。因此，我们认为LED照明的大规模替代将在 2011年底、2012年初启动，2011-2012年将是对LED照明产业的重要投资时点。

目前传统照明包括荧光灯、白炽灯、卤素灯、HID，各占一般照明营收的36%、23%、16%、13%。随着白炽灯在各国的禁用，荧光灯对白炽灯的替代、LED灯对白炽灯和荧光灯的替代将会是同步进行的。由于商业/工业企业对电费成本更敏感、政府对企业节能减排要求愈加严格等原因，商业/工业领域对使用节能型照明电子产品表现更积极。我们认为，在 LED光源替代上同样会重复这样的过程，LED照明电子产品的替代首先在商业/工业领域发生，得到良好的示范作用后，再逐步普及至家用照明领域。

LED照明产业链分析

LED照明产业链的前半部分与传统LED应用产业链相同，但后半部分向LED照明模组(光源)和LED灯具生产延伸。产业链的变更带来了竞争格局的变化，上游企业向下游走，下游企业向上游走，垂直整合的步伐加快。产业链的变革引人注目，LED照明产业链中我们重点关注电子封装和应用两个环节。电子封装：模组化生产是未来趋势。

LED电子封装连接了LED上游的芯片和下游应用的照明灯具，是影响LED灯泡发光效率的决定因素，同时也是决定LED灯泡成本的主要构成部分。LED照明电子封装技术水平要求高，提高了进入门槛。不同于传统应用中的支架式电子封装（包括食人鱼电子封装）和贴片式电子封装（SMD），照明用LED 需要的功率更大，因此多芯片电子封装的密度较高，应用时产生的热量大，散热不良问题会导致荧光粉的迅速老化，导致电子产品寿命的减少，散热是需要解决的重要技术难题。

COB多芯片电子封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的电子封装密度电子封装几十个或几百个LED芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联、又有好几路的并联，对厂商的生产工艺要求非常苛刻。因此，应用于照明领域的LED电子封装，对电子封装企业的技术水平提出了更高的要求，提高了进入门槛。

模组化将是电子封装环节发展趋势。我们认为，LED照明电子产品的定位不应为可选消费品，而应该属于大众消费品，LED光源模组化，易于大规模生产，是降低LED照明成本的有效方式，对于非特殊用途的通用照明，LED模组化生产方式具有优势。所以，LED照明电子封装模组化将是大势所趋。类似 DRAM的标准品白光LED电子封装/模组将会出现，向下游的LED灯泡/灯具厂商大量供应。

LED灯泡/灯管和LED灯具生产企业新进入了 LED产业链条之中。LED照明模组通过安装电源、电路，经过光学设计，就可以生产照明电子产品，会有新进入者涌入。但从LED照明模组到LED灯具的生产过程不是简单的组装加工，LED灯具的设计涉及到电源管理与转换、驱动电路、控制与感应、散热管理、光路混合与扩散、光学提取等多方面的因素，门槛要比行业内现有的预期更高，发展初期电子产品质量良莠不齐的局面很可能会发生。我们认为，开始切入LED产业链的传统照明企业凭借其在光学设计领域的积累，在LED照明灯具环节占有一定的优势，如浙江阳光、真明丽、雷士照明。

渠道为王的定律同样适用。LED照明企业的发展路径有两条，一是制造，二是渠道。对于LED灯泡/灯具制造企业来说，大规模低成本制造是其最重要的竞争力，这也是中国本土企业的优势，我国已经是一个照明的制造大国，但是出口的电子产品里大部分都是OEM。对于掌握自主品牌和渠道的LED应用企业来说，拥有客户和市场的优势对公司的盈利能力有显著的提升，渠道为王的定律同样适用于LED 照明应用领域。制造与渠道这两条路径并不矛盾，拥有大规模生产能力并及早布局渠道的LED照明应用企业将在LED照明替代的过程中占据先机。

LED照明产业投资逻辑

我们认为，LED照明的大规模替代将在2011年底、2012年初启动，2011-2012年将是对LED照明产业的重要投资时点。LED照明电子产品的替代将首先在商业/工业领域发生，得到良好的示范作用后，再逐步普及至家用照明领域。我们看好LED照明产业链中从事高端电子封装和下游应用企业。我们长期看好 LED产业的发展，未来5年是行业发展的黄金时期，维持行业的“推荐”评级。

高端电子封装：关注从事中高端电子封装、在高亮度大功率电子封装方面具有一定技术积累的中游电子封装企业，我们认为模组化是LED照明电子封装领域将来发展的趋势，我们会去挖掘有能力从现有业务向LED照明电子封装和照明模组进行升级的公司。

下游应用：在LED下游应用，我们选择具有一定规模、拥有自主品牌的LED照明灯具生产企业，规模和渠道是其在下游激烈竞争中胜出的优势。LED照明灯具生产企业从传统业务基础上向固态照明领域拓展，带来估值的提升，同时其在产业链位置上更靠近消费端，也是在电子元器件行业整体景气度下降趋势下理想的防御品种，如浙江阳光、雷士照明等。（来源：中国证券报，□兴业证券）

LED产业未来经受考验

仅2009年上半年，我国LED的投产量已超过200亿元，而其扩大趋势仍在继续，不少以前从未涉足LED产业的上市公司也纷纷加入其中，比如近期刚刚公告的大族激光、福日电子等，希望能够赶上“节能减排、绿色环保”这趟高速列车。然而多少年来，A股上市公司常常陷在“一拥而上、一哄而散”的怪圈当中。当新兴技术“才露尖尖角”之时，“见钱眼开”的上市公司马上“立上潮头”，但随之而来的是除了初期丰厚的利润，更多的是产能过剩导致的伤痕累累，当然还有盲从的股民。这样的历史“杯具”已经不是第一次，近年才兴起的多晶硅、液晶屏幕的教训还历历在目。今年，我国多晶硅的产量预计是全世界需求的2倍，液晶屏幕的生产也大大超出市场的需求，国家已经限制这两种产业的继续扩张。那么LED是否会重蹈覆辙呢？有分析师认为，LED的市场空间巨大，目前的产能从未来3到5年来看，是远远不够的，但这是否意味着只要从事LED生产就一定能够盈利呢？答案当然是否定的。分析师表示，目前是LED的战国时代，群雄厮杀，不是所有从事LED产业的公司都会走上康庄大道，馅饼的旁边也许就是陷阱。

上市公司赶搭LED高速战车

不知何时起，LED(发光二极管)开始映入人们眼帘。随着LED技术越来越多地普及应用，一批LED企业迅速崛起，LED也被誉为“当下最时髦的新能源产业”。

嗅觉灵敏的资本市场也迅速作出反应：自去年12月到今年初，以三安光电、士兰微为龙头的LED板块逆市走强，LED概念集体被激活，德豪润达、同方股份、联创光电等在春节前纷纷创出反弹新高。LED发展迅猛令大多业内人士呼吁“警惕泡沫”，LED行业的现状究竟如何？ 目前各LED企业都在迅速扩大产能，展开攻略。国内从LED产业龙头三安光电到扩张产能的士兰微，再到“半路出家”的德豪润达，LED产业投资热潮几乎席卷了整个行业。

目前来说，三安光电LED规模最大。联创光电是LED的老将，长于LED电子封装和应用，有完善的产业链。士兰微长于LED芯片。德豪润达是新锐，进军LED建立完善产业链。

国内最大的LED厂商三安光电今年1月宣布豪掷120亿元建立LED基地。三安光电目前拥有14台国际先进的MOCVD及配套设备，具备年产外延片45万片、芯片150亿枚的生产能力。

不仅是三安光电等，全球的LED厂商也都在扩产。A股上市公司中，证通电子、大族激光、长江通信也都在近期公告了对LED的投资方案。

已经完成了5条LED生产线建设的士兰微，今年1月拟定向增发募资不超过6亿元，用于高亮度LED芯片生产线项目的扩产及补充流动资金。“半路出家”的德豪润达从2008年开始跟踪LED产业，2009年收购健隆达51％和锐拓30％的股权正式进军其中，2010年2月1日，与芜湖市政府开始芯片项目合作，以60亿元下注LED光电产业。长江通信在去年12月7日就与武汉市黄陂区政府合作，拟在黄陂区投资建设华中地区最大规模的LED照明电子产品生产基地，预计年销售收入20亿元。

会否重蹈多晶硅产业老路 LED火爆的局面似乎有些与历史相似，不得不让人联想起当初疯狂的多晶硅和液晶面板。根据中国电子材料行业协会给国家发改委的一份报告显示，到2009年6月底，我国已有19家企业的多晶硅项目投产，产能规模达到3万吨/年，另有10多家企业在建、扩建多晶硅项目，总规划产能预计到2010年将超过10万吨。而2008年我国多晶硅的总需求量才1.7万吨。这些产能若全部兑现，将超过全球需求量的2倍以上。多晶硅的产能过剩已从忧虑过渡到现实。

宏源证券能源行业首席研究员王静介绍说，2007年全国多晶硅实际产量不到1000吨，2008年全年产能1.5万吨左右，而到了2010年产能暴增至10万吨。多晶硅的价格也在这两年出现急速下跌，这让不少上市公司叫苦不迭，之前的投资已经下去，成果刚刚出来，却出现产能过剩、价格暴跌的局面。不少上市公司只好选择“来去匆匆”，要不找人收购，要不咬牙挺住，但是挺住的只是少数几家，多数企业倒在了即将来临的春天前。

“杯具”不止发生了一次，与LED只有一字之差的LCD（液晶面板）的发展也是如出一辙。液晶面板的横空出世，让人们对电视、电脑的显示技术有了更高的要求，从2007年到2009年，同规格的LCD的价格下降了50％，其幕后黑手就是产能过剩。2009年我国的LCD市场的需求是29万台，而实际的产量是这个数字的两倍。

未来3到5年产能不过剩 “从目前这个趋势来看，LED产能过剩是难以避免的。”昨日财富证券新能源行业的分析师李建军不无忧虑地表示，由于去年LED照明应用产值高达600亿元，比2008年增长33％，单个环节利润达到30％；根据displaysearch的研究，预计今年全球的LED需求还会同比增长26％，市场空间巨大，引得不少上市公司趋之若鹜。客观地说，这个行业的市场是非常宽广，但是目前国内从事LED生产的厂家处于战国时代，混战一片。由于LED的技术门槛较高，核心技术掌握在美国和日本手中，我国上市公司从事更多的是非核心技术的电子封装和应用阶段，除了来料加工之外，因涉及知识产权保护的原因，多是在国内自产自销，外销比例非常小。虽然产业前景广阔，但目前国内的应用多是政府采购，没有真正进入民用领域，所以市场需求非常小。即使今后市场打开，由于国外以及中国台湾地区已很早介入该电子产品的生产，技术成熟，可能会抢得市场的先机。特别是一些原来没有技术储备的上市公司，仅仅是因为利润丰厚而盲目进入，也许最终会倒在市场开启之前。

联讯证券新能源行业分析师黄平也认为，市场是巨大的，但是上市公司能不能赚到钱那就要看各自的本事了。目前LED显示技术只是应用在指示灯、显示屏、手机键盘、相机闪光灯以及LCD背光源等4个领域，市场最为广阔的照明光源依然是未被开启。由于目前的规模生产以及技术的不成熟，导致其售价过高，普通居民难以接受。但是随着政府补助，以及技术的成熟和应用推广，其成本肯定会降低。从未来3到5年看，目前的产能还远远不够。他指出，1990年开始所有提出的LED相关专利，到了2010年时，20年的有效专利期限将逐渐到期，原有的产业专利结构将被迫调整。国内实力强的企业，如果能够抓住机遇肯定会迅速崛起，现在不少上市公司蜂拥而入，也是看到了这点。但是由于之前的技术储备不足，更重要的是产业规模化的速度超前于应用，会让一批企业提早倒下。（来源：信息时报）

上市公司纷纷重金砸向LED 投资或过热行业将重组

不知道何时，LED映入人们眼帘，随着LED技术越来越多的普及应用，一批LED企业迅速崛起，LED也被誉为“当下最时髦的新能源产业”。而在嗅觉灵敏的资本市场也迅速作出反映：自去年12月到今年年初，以三安光电、士兰微为龙头的LED板块逆市走强，LED板块集体被激活，德豪润达、同方股份、联创光电等在春节前纷纷创出反弹新高。LED发展迅猛令大多业内人士呼吁警惕泡沫，究竟上市公司缘何纷纷重金豪赌LED？LED行业的现状和前景究竟如何？ 纷纷重金砸向LED 各LED企业迅速扩大产能，展开攻略。国内LED产业龙头企业三安光电到扩张产能的士兰微再到“半路出家”的德豪润达，LED产业投资热潮几乎席卷了整个行业。目前来说，三安光电LED规模最大，联创光电是LED的老将，联创长于LED电子封装和应用，有完善的产业链。士兰微长于LED芯片，德豪润达是新锐，进军LED建立完善产业链。其他LED企业也纷纷扩产。国内最大的LED厂商三安光电今年1月宣布豪掷120亿元建立LED基地。三安光电目前拥有14台国际先进的MOCVD及配套设备，具备年产外延片45万片、芯片150亿枚的生产能力。

不仅是三安光电，全球的LED厂商也都在扩产。A股上市公司中，证通电子、大族激光、长江通信也都在近期公告了对LED的投资。

已经完成了五条LED生产线的建设，并已经形成年产大功率蓝光LED芯片4亿粒的生产能力的士兰微，今年1月拟定向增发募集资金不超过6亿元，用于高亮度LED芯片生产线项目的扩产及补充流动资金。

士兰微董秘陈越表示：“预计6个亿募集资金到位之后，5个亿将投入LED。”

“半路出家”的德豪润达从08年开始跟踪LED产业，09年收购健隆达51%和锐拓30%的股权正式进军，2010年2月1日，与芜湖市政府开始芯片项目合作，以60亿下注LED光电产业。

“芜湖项目2011年建成，这是第一个步骤，项目建成之后预计无论技术还是规模都能排在国内前三名。”德豪润达董秘邓飞如是表示。

长江通信在去年12月7日就与武汉市黄陂区人民政府合作，拟在黄陂区投资建设华中地区最大规模的LED照明电子产品生产基地，预计年销售收入20亿元。

天相投资分析师何阳阳告诉记者：“其实LED在很早之前已经产生，其发展历史较久，随着近年来国家对节能较重视，行业逐渐商业化，规模逐步加大。很多上市公司纷纷投入，目前国内三安光电规模较大。”

LED快速成长的照明产业

LED——这个被称为继明火和白炽灯之后第三次照明革命的产业。随着半导体照明工程的启动，LED产业的发展速度也越来越快。

2009年LED市场应用领域来看，LED指示灯、LED显示屏、手机键盘和相机闪光灯以及LCD背光源位列销售量前四大领域。据了解，目前全球LED产业形成了美、亚、欧三足鼎立的格局。日、美技术相对领先，欧洲在应用领域的具有相对优势。我国台湾地区和韩国LED产业近年来迅速崛起。

近年来，我国LED产业发展速度快于全球平均水平。在LED产业链中，以上游衬底材料和外延片的制作技术含量最高，其次是芯片制造。目前，我国LED产业的优势主要集中在技术含量相对较低的电子封装环发展规划，未来5年，国内上游衬底和芯片的发展速度将明显超越下游。同时，高亮度LED在我国LED生产和应用的比重逐步加大。“涉足LED上游芯片产业的企业日趋增多。但是，必须认识到，上游投资项目的风险很大，关键是市场和技术定位。”中科院半导体研究所博士赵丽霞接受记者采访时表示。

警惕LED投资过热

随着LED板块异军突起，三安光电、德豪润达等纷纷走了一波上涨行情。公开资料显示，仅2009年上半年，全国各地纷纷上马LED项目总投资预算已超过200亿元。

针对LED投资热，德豪润达董秘邓飞告诉记者：“在政府大力支持下，各地方都在加大投资，德豪润达去年募集15个亿，在当时LED行业国内最大一笔投资，LED龙头企业也在陆陆续续加大投资。” 上市融资也成为LED企业发展的迫切需求，民间力量也纷纷进入欲分得一杯羹。据统计，2009年民间资本积极介入LED产业，投资规模增长迅速，投资领域涉及整个产业链。近年来风险投资针对国内企业投资超过15亿元。

据专家分析，从目前开工建设和计划建设项目统计来看，LED的产能至少透支未来三到五年的产能和市场。大量LED项目建成后将造成我国LED产业不集中、产能过剩、市场无序竞争、人才缺乏等问题。

产能是否出现过剩

“目前短期来看，还看不到过剩的情况，LED需求比较大，在2011年LED液晶电视行业应用进入大规模渗透阶段，上有产能来看，扩产收到设备供给的瓶颈，下游需求比较乐观，产能过剩一两年内还是见不到的。”

陈越认为：“目前市场还是处于上升阶段，短期内不会出现过剩现象，企业的技术、电子产品和实力是竞争关键因素。”

LED行业具有比较长的产业链，包括上游、中游、下游及应用电子产品，每一领域的技术特征和资本特征差异较大，因此在发展上也存在着一定的不均衡性。

“LED产业投资已经出现过热现象，未来产能过剩隐患显现。”

“新兴产业，方兴未艾，还在不断释放过程中，厂家供应无法扩产，LED自我技术的完善还远远不够。”中科院半导体研究所专家表示。

20年有效专利期限到期 LED将迎新一波重组？

LED现在的发展瓶颈在于价格，而决定价格的是技术，目前LED照明产业核心技术多为国外企业所掌控。专家指出，总体来看，我国LED技术与国外存在较大差距，需要应对专利封锁等一系列问题。在外延、芯片的制备以及自主电子封装技术方面需要坚持自主创新，与国外仍有差距。另外，LED照明产业标准不明确。

同时，近期有专家预测，1990年开始所有提出的LED相关专利，到了2010年时，20年的有效专利期限将逐渐到期，原有的产业专利结构将被迫调整。处于产业中游和下游的电子封装和应用方面的专利接近50%。而在产业上游的外延和芯片方面，由于我国研究和生产起步较晚，专利所占比例较少。

为避免专利问题，现阶段包括亚日化、丰田合成、Cree、飞利浦(Philips)等欧美与日本重要的LED大厂，开始展开相互授权的方式。“国内专利壁垒显著，专利体现公司的研发水平，将来在企业新电子产品的推出，行业比较被动，缺乏竞争力。国外日本、美国、欧盟形成专利互相授权的情况。”

当然，作为高科技产业，LED的技术仍在处于不断进步过程中，不排除未来由于新技术的涌现、新应用领域的拓展而打破这一竞争格局可能。